разработка и исследование методик и режимов формирования алюмооксидных оснований с наличием переходных отверстий, покрытых диэлектрическими слоями анодного оксида алюминия с обеих сторон, с улучшенными электроизоляционными параметрами в переходных отверстиях, пригодными для электронных модулей.
Задачи:
- разработка техники формирования исходных алюминиевых подложек с тестовыми матрицами переходных отверстий;
- разработка, исследование и оптимизация технологических приемов и режимов двустороннего электрохимического процесса анодирования алюминиевых подложек с переходными отверстиями;
- исследование влияния технологических режимов и параметров анодного оксида алюминия на устойчивость диэлектрических покрытий к образованию трещин в тестовых матрицах переходных отверстий;
- разработка и исследование методов улучшения электрической прочности анодного оксида алюминия в переходных отверстиях;
- разработка и исследование методов «залечивания» трещин в анодном оксиде алюминия в переходных отверстиях.
результаты НИР актуальны для использования в силовых многокристальных микроэлектронных модулях (диодных, тиристорных и IGBT-сборках, силовых ключах, релейных переключателях, AC/DC и DC/DC-преобразователях и др.) в авиационном и автомобильном приборостроении, в железнодорожной, сварочной, промышленной автоматике.
в результате выполнения НИР будет разработана методика и режимы формирования упорядоченного и структурно-модифицированного пористого оксида алюминия толщиной 50-200 мкм с двух сторон и диаметром пор 30-80 нм при использовании многостадийного электрохимического процесса анодирования Al-оснований площадью до 100×100 мм2 и толщиной 1-3 мм с наличием матриц переходных отверстий диаметром 0,9-4,3 мм.
промышленность, приборостроение.
учреждение образования "Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники"
Научно-исследовательская часть
тел: +375 17 293 80 55
e-mail: science@bsuir.by