Отраслевая лаборатория «Элионика-радиационностойкая и космическая электроника»

bgu_admin - вт, 02/04/2020 - 16:47
Краткая информация (история создания, наиболее значительные достижения и т.п.)

Отраслевая лаборатория «Элионика-радиационностойкая и космическая электроника» функционирует на базе НИУ «Институт прикладных физических проблем им. А. Н. Севченко» Белорусского государственного университета. Создана приказом №45/д от 16.03.2018.

Направления научно-исследовательской деятельности
  • энергетика, химический синтез и продукты, медицина и фармация, информатика и космические исследования, электроника и фотоника, радиофизические системы и комплексы машин, многофункциональные материалы и технологии, экология и природопользование, междисциплинарные исследования, безопасность человека, общества и государства, энергетика и энергоэффективность, атомная энергетика: энергобезопасность и энергосбережение, энергоэффективные технологии и техника, атомная энергетика, возобновляемые источники энергии, местные и вторичные энергоресурсы, радиоэлектроника, электронные и оптоэлектронные технологии;
  • промышленные и строительные технологии и производство, интеллектуальные системы управления, новые многофункциональные материалы, специальные материалы с заданными свойствами, оптоэлектроника и оптические системы, технологии электронного приборостроения, микроэлектроника, радиоэлектроника, СВЧ-электроника, электротехника;
  • медицина, химические технологии, нефтехимия: производство новых химических продуктов;
  • наноиндустрия;
  • нанотехнологии;
  • информационно-коммуникационные и авиакосмические технологии, разработка интегрированных систем автоматизации управления процессами и ресурсами организаций, информационные авиационно-космические технологии, средства технической криптографической защиты информации, технологии и системы электронной идентификации;
  • технологии развития информационного общества;
  • национальная безопасность и обороноспособность, защита от чрезвычайных ситуаций, перспективные средства и технологии обеспечения национальной безопасности и обороноспособности, защита населения и территорий от чрезвычайных ситуаций.

Основные направления исследований, испытаний и измерений:

  • ионно-лучевое легирование материалов в диапазоне энергий 50–2500 кэВ;
  • испытания на радиационную стойкость материалов космических аппаратов и ядерных реакторов;
  • нанесение слоев металлов, полупроводников и диэлектриков толщиной от 10 нм до 5 мкм плазменными, ионно-плазменными, ионно-ассистируемыми, лазерными и лазерно-плазменным методами;
  • формирование наноструктурированных систем в полупроводниках, металлах и диэлектриках из пересыщенных твердых растворов, созданных высокодозной ионной имплантацией и методами планарной технологии, имплантационное формирование структур с квантовыми точками;
  • количественный неразрушающий микроэлементный анализ по глубине объекта с помощью резерфордовского обратного рассеяния ионов гелия (РОР) и выхода характеристического рентгеновского излучения (PIXE), возбуждаемого высокоэнергетичными протонами в неориентированных мишенях и при каналировании ионов в кристаллах;
  • неразрушающий анализ распределения концентрации дефектов структуры по глубине кристаллического объекта методом РОР с каналированием ионов гелия;
  • определение местоположения дефектов и примесных атомов в элементарной ячейке кристалла, легирующих примесей, находящихся в узлах кристаллической решетки по выходу РОР-ионов в режиме каналирования;
  • неразрушающий микроэлементный анализ по глубине объектов методом РОР с использованием электростатического анализатора с разрешением по глубине 1 нм;
  • микроэлементный анализ жидких и влажных материалов методом PIXE с выводом пучка протонов на воздух через конический капилляр из стекла;
  • фазовый и структурный анализ материалов просвечивающей электронной микроскопией и crosssection электронной микроскопией с разрешением ≈ 1нм;
  • препарирование объектов для исследований просвечивающей и cross-section электронной микроскопией, включая наноразмерные слоистые структуры;
  • регистрация спектров поглощения и отражения света, фотолюминесценции и электролюминесценции с высоким пространственным и спектральным разрешением;
  • измерение коэффициентов прохождения и отражения электромагнитного излучения СВЧ-диапазона;
  • измерение динамической микро- и нанотвердости материалов.
Перечень предоставляемых услуг
  • измерение спектров пропускания, отражения под переменным углом, диффузного пропускания и отражения (с использованием интегрирующей сферы) в спектральном диапазоне 190–3300 нм;
  • имплантация ионов (H+, He+, N+, N2+, C+, Ne+, Ar+);
  • диапазон флюенсов: 1×1012–1018 ионов/см2, энергия ионов 100–300, 400–2000 кэВ;
  • определение микроэлементного состава по глубине анализируемого объекта (до глубины 1–3 мкм) с использованием неразрушающего метода обратного резерфордовского рассеяния ионов гелия или протонов (разрешение по глубине не хуже 3–10 нм);
  • определение микроэлементного состава с использованием неразрушающего метода ионно-индуцированного характеристического рентгеновского излучения (PIXE) твердых, жидких и влажных объектов (с выводом пучка протонов на воздух);
  • измерение интегральной концентрации дефектов по глубине монокристаллических объектов и концентрации атомов примеси, находящихся в узлах кристаллической решетки матричного материала, по выходу обратного резерфордовского рассеяния ионов He+ в режиме каналирования;
  • исследование различных твердотельных материалов (металлы, полупроводники, диэлектрики) методом просвечивающей электронной микроскопии, сканирующей электронной микроскопии и просвечивающей растровой электронной микроскопии (структура, дефекты, электронная дифракция);
  • препарирование тонких срезов образцов от твердотельных материалов в планарном, поперечном и наклонном сечении для проведения электронно-микроскопических и электронно-дифракционных исследований на просвет и в геометрии поперечного сечения;
  • измерение комплексных коэффициентов передачи (прохождения) и отражения сигналов СВЧ-излучения в диапазоне частот от 300 МГц до 110 ГГц от твердофазных и жидких материалов в закрытых и открытых волноводных трактах.
Контактная информация

НИУ «Институт прикладных физических проблем им. А. Н. Севченко» Белорусского государственного университета
20045, г. Минск, ул. Курчатова, 7
Руководитель - Комаров Фадей Фадеевич, доктор физико-математических наук, профессор, член-корреспондент НАН Беларуси
Тел.: +375 17 212 49 06, 212 48 33
Факс: +375 17 278 04 17
E-mail: niipfp@bsu.by, komarovf@bsu.by