Разработка и оптимизация процесса электрохимического заполнения TSV-отверстий в технологии трехмерной интеграции кристаллов

bguir_admin - ср, 04/03/2020 - 14:59
Программа:
Вид научной деятельности:
Вид создаваемой научно-технической продукции:
Дата начала работ:
Дата окончания работ :
Цели:

разработка и исследование электрохимических методов заполнения медью переходных отверстий в кремнии при создании трехмерных металлических межсоединений в технологии вертикальной сборки кристаллов.

Задачи:

  • разработать и исследовать электрохимические процессы заполнения медью переходных отверстий в промежуточной кремниевой пластине при воздействии интенсифицирующих факторов;
  • исследовать влияние выравнивающих добавок в электролите меднения и режима электролиза на закономерности локального осаждения меди в вертикальные TSV- отверстия в различного размера;
  • изучить влияние параметров периодического тока различной формы и частоты и ультразвука на механизм и физико-химические закономерности электрохимического заполнения отверстий;
  • оптимизировать состав электролита и программно-управляемые режимы электрохимического меднения переходных отверстий в кремнии при создании межсоединений на постоянном и периодическом токе.
Актуальность (решаемые проблемы):

результаты НИР актуальны для использования в микро- и наноэлектронике.

Краткое описание создаваемой научно-технической продукции:

в результате выполнения НИР появится возможность заполнения глухих отверстий в кремниевых пластинах в условиях программно-управляемого импульсного электролиза с учетом уже существующих технологических маршрутов изготовления TSV-металлизации, создавать медные микропроводники для формирования многоуровневых межсоединений элементов ИМС. Электрохимическое заполнение TSV-отверстий будет проводиться на постоянном и реверсированном токе различной формы и частоты в ультразвуковом поле при программном изменении режима электролиза, что позволит значительно удешевить процесс и обеспечит суперконформное заполнение отверстий.

Область применения результатов НИОКР:

микро- и наноэлектроника.

Контактная информация:

учреждение образования "Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники"
Научно-исследовательская часть
тел: +375 17 293 80 55
e-mail: science@bsuir.by