МНОГОУРОВНЕВЫЕ СИСТЕМЫ МЕЖСОЕДИНЕНИЙ
Контакт:
Лаборатория
"Технология гибридных микросхем"
телефон: (+375 17) 2327115
e-mail:

Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Адрес: 6, П.Бровки ул., 220013, Минск,
Республика Беларусь


Назначение и область применения

Применяются в быстродействующих многокристальных модулях, гибридных интегральных микросхемах, коммутационных платах повышенной степени интеграции и плотности компоновки для широкого круга изделий электронной техники.

Технические характеристики

Минимальная ширина проводников и зазоров между ними, мкм

8 – 10

Удельное поверхностное сопротивление проводников, Ом/кв

0,01

Волновое сопротивление, Ом

4 – 700

Сопротивление межуровневой изоляции, Ом

1012

Электрическая прочность межуровневой изоляции, В/см

2.105

Диапазон номиналов встроенных резисторов, Ом

10 – 2.105

Диапазон номиналов встроенных емкостей, пФ/мм2

200 – 750


Преимущества
  • планарность рельефа поверхности;
  • высокая степень интеграции;
  • воспроизводимость и высокая точность геометрических размеров топологии;
  • высокая рассеиваемая мощность;
  • возможность встраивания в объем металлизации пассивных резистивных и емкостных элементов;
  • высокая стойкость к механическим, температурным и электромагнитным воздействиям;
  • воспроизводимость электрических параметров,
  • расширенные возможности топологического проектирования.



 
За дополнительной информацией обращайтесь к нам:
Центр трансфера технологий телефон: (+ 375 17) 2327115
e-mail:
http://www.transfer.by
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
телефон: (+ 375 17) 2928342
факс: (+375 17) 2327183
e-mail:
Министерство образования Республики Беларусь