МНОГОУРОВНЕВЫЕ СИСТЕМЫ МЕЖСОЕДИНЕНИЙ |
|
|
 |
|
Контакт: Лаборатория
"Технология гибридных микросхем"
телефон: (+375 17) 2327115
e-mail: |
|
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Адрес: 6, П.Бровки ул., 220013, Минск,
Республика Беларусь
|
|
|
|
Назначение и область применения Применяются в быстродействующих многокристальных модулях, гибридных интегральных микросхемах, коммутационных платах повышенной степени интеграции и плотности компоновки для широкого круга изделий электронной техники.
Технические характеристики
Минимальная ширина проводников и зазоров между ними, мкм
|
8 – 10
|
Удельное поверхностное сопротивление проводников, Ом/кв
|
0,01
|
Волновое сопротивление, Ом
|
4 – 700
|
Сопротивление межуровневой изоляции, Ом
|
1012
|
Электрическая прочность межуровневой изоляции, В/см
|
2.105
|
Диапазон номиналов встроенных резисторов, Ом
|
10 – 2.105
|
Диапазон номиналов встроенных емкостей, пФ/мм2
|
200 – 750
|
Преимущества
- планарность рельефа поверхности;
- высокая степень интеграции;
- воспроизводимость и высокая точность геометрических размеров топологии;
- высокая рассеиваемая мощность;
- возможность встраивания в объем металлизации пассивных резистивных и емкостных элементов;
- высокая стойкость к механическим, температурным и электромагнитным воздействиям;
- воспроизводимость электрических параметров,
- расширенные возможности топологического проектирования.
|


|
|
|
|
|
|
Центр трансфера технологий |
|
телефон: (+ 375 17) 2327115
e-mail:
http://www.transfer.by |
|
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники |
|
|
 |
|
телефон: (+ 375 17) 2928342
факс: (+375 17) 2327183
e-mail: |
|
Министерство образования Республики Беларусь |
|