|
 |
|
Контакт:
Научно-инновационный отдел
тел./факс: (+375 17) 2095303
e-mail:
www.fhp.bsu.by |
|
Учреждение Белорусского государственного университета
«НИИ физико-химических проблем»
Адрес: 14, Ленинградская ул., 220050 Минск,
Республика Беларусь
|
|
|
Назначение Селективное осаждение из растворов токопроводящих рисунков из меди, никеля и др. металлов на поверхность диэлектриков, не содержащих металлическую фольгу, без использования операций фотолитографии 
Область применения
- получение жестких и гибких печатных плат, в том числе с переходными отверстиями, кабелей и шлейф-плат
- производство многослойных печатных плат с высокой плотностью монтажа
- изготовление волноводов
- получение нагревательных элементов (для утюгов, ветровых стекол автомобилей)
Технические характеристики
- природа диэлектрической подложки - полиимид, полиэтилентерефталат, полиамид, ситаллы и др.
- природа проводящего металла - медь, никель
- заданная толщина проводников обеспечивается химическим осаждением из растворов меди или никеля (до 0,2 мкм) и последующим электрохимическим осаждением меди (до 25-35 мкм) или химическим осаждением никеля (до 12 мкм)
- возможно последующее осаждение других металлов и сплавов (например, золота, сплава Sn-Pb)
- минимальные размеры элементов при толщине проводников 0,2-5 мкм составляют 10-20 мкм, а при толщине 10-25 мкм может быть 40-100 мкм
- минимальный диаметр металлизируемых отверстий при толщине диэлектрика 40 мкм составляет 40 мкм
- адгезионная прочность системы «проводящий элемент» - подложка 500–800Н/м
- сопротивление изоляции определяется природой диэлектрика (в случае полиимида достигает 104 Мом)
- число перегибов гибкой подложки (полиимид) до растрескивания медных проводников (при диаметре перегиба 6 мм) - 6000
Преимущества технологии фотоселективного осаждения металлов из растворов 
- снижение затрат труда и материалов вдвое по сравнению с полуаддивным способом производства печатных плат
- варьирование природы осаждаемого металла (медь, никель, олово, золото и др.)
- варьирование толщины покрытий в пределах 0,1 - 35 мкм и более
- получение проводящих элементов с малыми размерами, начиная от 10 мкм
- получение элементов, не связанных друг с другом в замкнутую схему
- использование нефольгированных диэлектриков разной химической природы
Внедрение Технология внедрена в НИИ ТОП (Нижний Новгород, Россия), ОАО СИЭМ (Минск, Беларусь)
Формы сотрудничества Продажа технологии, производство изделий по заказу, продажа лицензий, совместное производство
|
|
|
|
|
