Назначение и область применения

   В лаборатории разработан ряд ионно-плазменных устройств и технологий для ионно-лучевого распыления, магнетронного распыления, ионно-лучевого осаждения (IBAD), двойного ионно-лучевого распыления (DIBS), осаждения из ионного пучка (DIBD), ионно-лучевого ассистирования магнетронному осаждению (IBAM), при различных диапазонах энергий, плотностях ионного тока, и различных рабочих давлениях в камере.

   В лаборатории проводятся исследования по разработке методов формирования тонких пленок различного назначения: осаждение металлических, полупроводниковых и диэлектрических тонких пленок, многослойных пленок для оптики и оптоэлектроники (SiO₂, TiO₂, Y₂O₃, Ta₂O₅, ITO и др.) на подложках различного размера; тонких пленок на основе тугоплавких материалов Si₃N₄, AlN, TiN, TiB₂.

   Кроме того проводятся исследования по получению тонких пленок на основе сверхтвердых материалов c-BN, β-C₃N₄, АПП методом двойного ионно-лучевого распыления.

Системы и устройства

Двухлучевой источник ионов для двойного ионно-лучевого распыления

Ионные источники для ионно-лучевого ассистирования и очистки

Разработка магнетронных распылительных систем и метода ионно-ассистированного магнетронного распыления