ДВУХЛУЧЕВОЙ ИСТОЧНИК ИОНОВ ДЛЯ ДВОЙНОГО ИОННО-ЛУЧЕВОГО РАСПЫЛЕНИЯ
Контакт:
 Лаборатория
"Плазменные методы синтеза тонкопленочных структур"
телефон: (+375 17) 2327115
e-mail:

Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Адрес: 6, П.Бровки ул., 220013, Минск,
Республика Беларусь
 

Назначение и область применения

   Данное устройство разработано для формирования тонких пленок металлов, полупроводников и диэлектриков методом двойного ионно-лучевого распыления, позволяющего активизировать процесс и производить очистку подложки перед осаждением. Двухлучевой источник генерирует два независимых ионных луча.

Применение:

  • очистка подложки,
  • формирование переходных слоев пленка-подложка (ионное перемешивание),
  • двойное ионно-лучевое распыление,
  • реактивное ионно-лучевое распыление.

    • Технические характеристики

    Распыляющая ступень:

    напряжение анода

    6 кВ

    рабочее давление газа

    0.01 – 0.03 Па

    ионный ток пучка

    свыше 300 мА

    энергия ионов

    свыше 2 кэВ
    Ступени очистки:

    напряжение анода

    3 кВ (макс. до 6 кВ)

    рабочее давление газа

    0.01 – 0.03 Па

    ионный ток пучка

    свыше 100 мА

    энергия ионов

    свыше 1 кэВ (макс. до 2 кэВ)

Особенности и примеры реализации

Использование в качестве рабочих газов инертных и активных газов или их смеси позволяет формировать многокомпонентные пленки. Также можно распылять мишени из металлов, полупроводников и диэлектриков (SiO2, графит, BN, фторопласт, и др.). Предусмотрена возможность использования блока из 4-х мишеней различных материалов, что позволяет осаждать различные пленки в одном вакуумном цикле. В случае распыления диэлектриков используется термоэмиссионный нейтрализатор.
   В зависимости от режима ассистирующего пучка можно изменять фазовый состав, что позволяет управлять свойствами осаждаемых пленок (твердостью, прозрачностью, проводимостью и др.) и формировать слои с высокой адгезией и создавать покрытия, выдерживающие лазерное излучение, температурное термоциклирование, механическое воздействие. Используя двойное ионно-лучевое распыление были получены пленки металлов с высокой температурой плавления и их нитридов, алмазоподобные пленки с высокой адгезией, высокостабильные лазерные зеркала и др. Скорость осаждения пленок изменялась в пределах 0.3-8 А/с. (для Cu например 3А/с)

возврат к разделу «Ионно-плазменные устройства и технологии для формирования функциональных тонкопленочных слоев»
 
 
За дополнительной информацией обращайтесь к нам:
Центр трансфера технологий телефон: (+ 375 17) 2327115
e-mail:
http://www.transfer.by		 Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
телефон: (+ 375 17) 2928342
факс: (+375 17) 2327183
e-mail:		 Министерство образования Республики Беларусь