РАЗРАБОТКА МАГНЕТРОННЫХ РАСПЫЛИТЕЛЬНЫХ СИСТЕМ И МЕТОДА ИОННО-АССИСТИРОВАННОГО МАГНЕТРОННОГО РАСПЫЛЕНИЯ
Контакт:
Лаборатория
"Плазменные методы синтеза тонкопленочных структур"
телефон: (+375 17) 2327115
e-mail:

Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Адрес: 6, П.Бровки ул., 220013, Минск,
Республика Беларусь

-  

Назначение и область применения

   Магнетронные распылительные системы позволяют получать значительно более высокие скорости распыления металлов по сравнению с диодными и ионно-лучевыми распылительными системами. Они применяются для получения пленок металлов, сплавов, полупроводников и диэлектриков (в случае использования реактивных процессов);

Преимущества

-Высокая скорость осаждения (до нескольких сотен А/с), а следовательно и высокая чистота пленок;
-Относительно высокая адгезия и низкая пористость пленок;
-Возможность изменения параметров пленок за счет потенциала смещения на подложке, давления и состава газовой среды;
-Более низкое по сравнению с другими ионно-плазменными методами радиационное и тепловое воздействие на обрабатываемую структуру;
-Возможность использования ряда материалов при высоких плотностях тока на мишени к самораспылению;
-Возможность создания линий непрерывного действия.

Особенности и технические характеристики

  В лаборатории ведутся работы по разработке и исследованию характеристик магнетронных распылительных систем.

Характеристики магнетронных распылительных систем:

  • диапазон рабочих давлений 0.06 - 2.0 Па;
  • ток разряда до 15 А при напряжении до 600 В.
  •   В лаборатории разработаны и используются магнетронные распылительные системы как с круглой планарной, так и протяженной мишенью. Одним из перспективных направлений лаборатории является разработка и исследование магнетронных распылительных систем несбалансированного типа (unbalanced magnetron).

      В несбалансированных магнетронах, в отличие от обычных магнетронов, не все линии магнитного поля замкнуты между центральным и внешним полюсами магнитной системы. В этом случае незамкнутые линии магнитного поля с периферии катода направлены к подложке, и вторичные электроны имеют возможность двигаться по данным линиям магнитного поля. Следовательно, плазма в несбалансированных магнетронах полностью не ограничена примишенной областью, и может распространяться до подложки. В данном случае из плазмы могут извлекаться ионные токи значительной плотности даже без внешнего смещения подложки. Несбалансированные магнетроны имеют огромный потенциал для методов ионно-стимулированного формирования пленок, особенно для слоев с повышенными трибологическими характеристиками.

       Характеристики магнетронных распылительных систем несбалансированного типа:
  • диапазон рабочих давлений 0.02-2.0 Па;
  • ток разряда до 15 А при напряжении до 600 В.
  • плотность тока подложки до 10 мА/cм2.

возврат к разделу «Ионно-плазменные устройства и технологии для формирования функциональных тонкопленочных слоев»

 
 
За дополнительной информацией обращайтесь к нам:
Центр трансфера технологий телефон: (+ 375 17) 2327115
e-mail:
http://www.transfer.by
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
телефон: (+ 375 17) 2928342
факс: (+375 17) 2327183
e-mail:
Министерство образования Республики Беларусь