Исследовательско-технологический центр коллективного пользования "Нанотехнологий и физической электроники"

bgu_admin - чт, 27/02/2020 - 16:44
Краткая информация (история создания, наиболее значительные достижения и т.п.)

Создан в 2003 году на базе факультета радиофизики и электроники и НИИ ПФП имени А.Н. Севченко при Белорусском государственном университете Министерства образования Республики Беларусь. Аттестован и аккредитован Комиссией ГКНТ Республики Беларусь  30.11.2005 г.

Направления научно-исследовательской деятельности
  • ионно-лучевое легирование материалов в диапазоне энергий 5÷2500 кэВ;
  • нанесение слоев металлов, полупроводников и диэлектриков толщиной от 1 нм до 10 мкм плазменными, ионно-плазменными, ионно-ассистируемыми, лазерными методам и методом лазерной фотохимии;
  • формирование наноструктурированных систем в полупроводниках, металлах и диэлектриках из пересыщенных твердых растворов созданных высокодозной ионной имплантацией и методами планарной технологии;
  • лазерная обработка оптически прозрачных материалов и пластмасс;
  • количественный неразрушающий анализ по глубине объекта с помощью обратного резерфордовского рассеяния ОРР и выхода характеристического рентгеновского излучения (PIXE);
  • неразрушающий анализ распределения дефектов структуры по глубине объекта методом ОРР с каналированием ионов;
  • определение местоположения дефектов и примесных атомов в элементарной ячейке кристалла;
  • измерение электрофизических и оптических характеристик твердотельных объектов;
  • измерение вольтамперных (I – V), вольтфарадных (C – V) характеристик и DLTS-спектрометрия полупроводниковых материалов, структур и приборов нано- и микроэлектроники;
  • трибомеханические испытания материалов (микротвердость, износ и коэффициент трения);
  • фазовый и структурный анализ материалов просвечивающей электронной микроскопией и cross-section электронной микроскопией.
Перечень предоставляемых услуг

Методики измерений:

  • методики анализа структуры, типа дефектов и элементного состава по глубине объектов методом ОРР с каналированием ионов;
  • методика прецизионного элементного анализа по выходу вторичного рентгеновского излучения, возбуждаемого ионами (PIXE);
  • методики просвечивающей электронной микроскопии и электронной дифракции;
  • методика подготовки материалов для просвечивающей и cross-section электронной микроскопии;
  • методика cross-section электронной микроскопии;
  • методика контроля тонких и сверхтонких слоев материалов методом лазерной элипсометрии;
  • методики измерений электрофизических параметров материалов и приборных структур (I – V, C – V, холловские измерения);
  • методика нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней (DLTS);
  • методики контроля оптических характеристик материалов и приборных структур (ИК-спектроскопия, рамановская спектроскопия);
  • методики контроля адгезии и трибомеханических свойств;
  • методика определения местоположения атомов в элементарной ячейке кристалла по каналированию ионов;
  • методика элементного анализа по глубине объектов методом OPP с электростатическим анализатором с разрешением по глубине 1 нм;
  • методика создания объемных изображений внутри прозрачных материалов.
Контактная информация

Белорусский государственный университет
г. Минск, ул. Курчатова, 1, к. 61
Научный руководитель – Комаров Фадей Фадеевич, доктор физико-математических наук, профессор, член-корреспондент НАН Беларуси
тел.: +375 17 398 75 45
email: komarovF@bsu.by