Разработка технологии создания модифицированных диэлектрических слоев повышенной (до 10 кВ) электрической прочности на алюминиевых основаниях для силовых многокристальных модулей

bguir_admin - пт, 01/04/2019 - 11:50
Цели и задачи: 

Разработана технология создания модифицированных диэлектрических слоев повышенной (до 10 кВ)  электрической прочности на алюминиевых основаниях для использования в высоковольтных и мощных многокристальных модулях

Актуальность (решаемые проблемы): 

Повышение пробивных напряжений диэлектрических слоев с помощью методов формирования структурно-модифицированного пористого оксида алюминия с комбинированной морфологией при проведении многостадийного электрохимического процесса анодирования, методов реанодирования для модификации пористой структуры оксида алюминия плотными барьерными пленками, методов формирования дополнительных поверхностных диэлектрических слоев на алюмооксидных основаниях, способов импрегнирования для уплотнения и заполнения пор анодного оксида алюминия на основе использования различных органических и неорганических грунтовочных материалов

Краткое описание создаваемой научно-технической продукции: 

Разработан оптимизированный технологический процесс изготовления алюмооксидных оснований с модифицированными диэлектрическими покрытиями, обладающими повышенными напряжениями электрического пробоя, для силовых многокристальных модулей с обоснованием выбора материалов, механических и химических обработок поверхности алюминиевых оснований, электролитов и режимов электрохимического анодирования

Область применения результатов НИОКР: 

Силовые многокристальные микроэлектронные модули (диодные, тиристорные и IGBS-сборки, силовые ключи, релейные переключатели и др.)

Технические преимущества по отношению к лучшим отечественным и зарубежным аналогам: 

Соответствует уровню лучших мировых разработок

Потенциальные потребители создаваемой научно-технической продукции: 

Авиационное и автомобильное приборостроение, железнодорожная, сварочная, промышленная автоматика и т.д.

Контактная информация: 

Учреждение образования "Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники"
220013, г. Минск, ул. П. Бровки, 6
НИЛ 4.2 "Технология гибридных микросхем" НИЧ
Шиманович Дмитрий Леонидович, заведующий НИЛ
тел. +375-17-293-88-50