Исследование и разработка технологии нанесения сегнетоэлектрика золь-гель методом
ВУЗ:
УО "Гомельский государственный университет имени Ф.Скорины"
Руководитель:
Семченко А.В.
Контакты:
8 (0232) 57 63 57
Объект разработки:
технология нанесения сегнетоэлектрика золь-гель методом.
Проблема (цель):
разработка золь-гель методом методики формирования сегнетоэлектрических покрытий на основе SBT-систем для применения в устройствах энергонезависимой памяти.
Результаты:
Разработана методика получения золь-гель методом сегнетоэлектрических покрытий, содержащих стронций, висмут, тантал, для последующего применения в устройствах энергонезависимой памяти.
Область применения:
Разработанное покрытие может быть использовано при организации серийного производства новой микроэлектронной и СВЧ-элементной базы, интеллектуальных сенсорных, управляющих и исполнительных микромодулей для промышленной и бытовой техники, экспортных поставок на основе высокоэффективных интегральных технологий и нового поколения оптико-механического, контрольно-измерительного и сборочного оборудования.
Защита разработки:
заявка на патент РБ на изобретение, заявка на патент РФ на изобретение
Ключевые слова:
Золь-гель процесс, термообработка, золь, отжиг, метод центрифугирования, этоксид тантала, стронций, висмут, SBT-покрытие
Номер государственной регистрации:
20113930
